Trong khuôn khổ hội nghị Di động thế giới 2017 tại Thượng Hải (Mobile World Congress Shanghai), Qualcomm Inc. đã công bố việc công ty con của họ là Qualcomm Technologies Inc. cho ra mắt nền tảng di động Qualcomm Snapdragon 450 dành riêng cho các điện thoại thông minh và máy tính bảng tầm trung, sử dụng quy trình 14nm FinFET, có khả năng cải thiện đáng kể về thời lượng pin, đồ họa và năng lực tính toán, xử lý hình ảnh cũng như kết nối LTE so với thế hệ trước.
Nền tảng di động Snapdragon 450 tập trung cải tiến bốn nhóm chức năng nổi bật so với thế hệ tiền nhiệm, cụ thể là: CPU và GPU được cải tiến: CPU kiến trúc ARM với tám nhân Cortex 53 có hiệu năng cao hơn, tăng 25% năng lực tính toán so với thế hệ tiền nhiệm. GPU Qualcomm Adreno 506 cũng có năng lực xử lý đồ họa tăng 25% so với Snapdragon 435; thời lượng pin giảm 30% tiêu hao điện năng khi chơi game, giúp người dùng kết nối lâu hơn và làm việc hiệu quả hơn. Qualcomm Quick Charge 3.0 công nghệ sạc nhanh đến 80% dung lượng chỉ trong vòng 35 phút; Camera và đa phương tiện: Snapdragon 450 có hiệu ứng Bokeh thời gian thực (live Bokeh), hỗ trợ camera kép nâng cao 13MP+13MP hoặc đến 21MP đối với camera đơn; lấy nét tự động lai; quay video 1.080p và phát lại với tốc độ lên đến 60 khung hình/giây; hỗ trợ slow-motion. Snapdragon 450 cũng hỗ trợ màn hình Full HD 1.920×1.200 (px), mang lại hiệu năng cao hơn và tiêu thụ điện năng ít hơn đối với đa phương tiện, camera và xử lý cảm biến so với thế hệ trước; kết nối và USB trải nghiệm kết nối LTE tốc độ cao.
Các thiết bị thương mại mẫu sử dụng Snapdragon 450 được kỳ vọng sẽ được đưa ra vào quý III năm nay và nền tảng này sẽ được phổ biến trên các thiết bị mới ngay cuối năm nay.